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高電容量和低ESR技術(shù)
有多種技術(shù)已可實現(xiàn)單位體積電容量的優(yōu)化。例如，涂層片式鉭電容技術(shù)，該技術(shù)去除了常規(guī)模壓固體鉭電容的引線框結(jié)構(gòu)，同時這種類似于半導(dǎo)體特殊封裝的技術(shù)大大降低平均尺寸。 Vishay已經(jīng)開發(fā)了涂層鉭片式技術(shù)，用于滿足NASA要求的電容使用。這些產(chǎn)品遠遠超過了常規(guī)模壓表面安裝鉭電容(SMD)的容積效率。不過設(shè)計師們還需要使ESR最小化，而這一要求刺激了多種候選方案。
Polymer鋁電容
Polymer鋁電容具有非常低的ESR，在10 m 或更小的范圍，它填充了高電容量多層陶瓷電容(MLCC)和鉭聚合物電容之間的應(yīng)用空間。不過，盡管它們滿足了濾波應(yīng)用中所需的ESR要求，但它們的容積效率通常要比鉭技術(shù)小很多。在組裝空間十分珍貴的應(yīng)用中，這種技術(shù)必須讓位于其它技術(shù)如鉭式技術(shù)等。
固體鉭電容
固體鉭電容有標準和低ESR兩種類型。兩種類型均采用通常的引線框結(jié)構(gòu)制作。固體鉭低ESR類型所具有的ESR值100 KHz 時在100 m 范圍。由于ESR值取決于陽極的外表面，因此較大的外形尺寸一般都擁有較低的ESR值。固體鉭電容方面大量的粉末研制工作產(chǎn)生了新的更低水平的ESR值。另外浪涌電壓方面也得到改進使固體鉭技術(shù)功能更強大。
Polymer鉭電容
Polymer鉭電容運用了新式高導(dǎo)電性的聚合物。高導(dǎo)電性聚合物用于陰極而非二氧化錳。聚合物陰極在導(dǎo)電率上的改善帶來更低的阻抗和更低的ESR。低阻抗還帶來優(yōu)異的高頻濾波響應(yīng)。Polymer鉭電容技術(shù)擁有最低的ESR，大大低于相近尺寸的常規(guī)固體鉭電容。事實上，引線框結(jié)構(gòu)主要制約給定外形尺寸下可用電容量。
多陽極鉭電容
現(xiàn)今，高容積和低ESR的雙重要求正在由一種3-D的封裝方式來解決，它是一種多陽極鉭電容，該結(jié)構(gòu)去除了常規(guī)的引線框。此結(jié)構(gòu)在小型化SMD封裝下取得了高電容量，并可以與常規(guī)模壓鉭器件引腳兼容。重要的是，該技術(shù)取得了非常低而穩(wěn)定的ESR。
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